所謂壓阻效應，是指當半導體受到應力作用時，由于載流子遷移率的變化，使其電阻率發(fā)生變化的現象。

它是C.S***在1954年對硅和鍺的電阻率與應力變化特性測試中發(fā)現的。壓阻效應的強弱可以用壓阻系數π來表征。壓阻系數π被定義為單位應力作用下電阻率的相對變化。

壓阻效應有各向異性特征，沿不同的方向施加應力和沿不同方向通過電流，其電阻率變化會不相同。譬如：在室溫下測定N型硅時，沿（100）方向加應力，并沿此方向通電流的壓阻系數π11=102.2×10-11m2/N；而沿（100）方向施加應力，再沿（010）方向通電流時，其壓阻系數π12=53.7×10-11m2/N。

此外，不同半導體材料的壓阻系數也不同，如在與上述N型硅相同條件下測出N型鍺的壓阻系數分別為π11=5.2×10-11m2/N；π12=5.5×10-11m2/N。

壓阻效應被用來制成各種壓力、應力、應變、速度、加速度傳感器，把力學量轉換成電信號。例如：壓阻加速度傳感器是在其內腔的硅梁根部集成壓阻橋（其布置與電橋相似），壓阻橋的一端固定在傳感器基座上，另一端掛懸著質量塊。當傳感器裝在被測物體上隨之運動時，傳感器具有與被測件相同的加速度，質量塊按牛頓定律（第二定律）產生力作用于硅梁上，形成應力，使電阻橋受應力作用而引起其電阻值變化。把輸入與輸出導線引出傳感器，可得到相應的電壓輸出值。該電壓輸出值表征了物體的加速度。

半導體壓阻傳感器已經廣泛地應用于航空、化工、航海、動力和醫(yī)療等部門。